سامسونگ یک تولید کننده بزرگ تراشه های ذخیره سازی است و امروز، این شرکت اعلام کرد که تولید انبوه جدیدترین تراشه های NAND خود – QLC نسل نهم V-NAND با فضای ذخیره سازی ۱ ترابیت (۱۲۵ گیگابایت) را آغاز کرده است.
در ماه آوریل، سامسونگ اولین شرکتی بود که نسل نهم V-NAND را با فناوری TLC (سلول سه‌گانه) به تولید انبوه رساند. اکنون آن‌ها آن را به یک راه‌حل سلول چهار سطحی (QLC) ارتقا می‌دهند و امکان ذخیره‌سازی ۴ بیت در هر سلول و در نتیجه یک تراشه فیزیکی متراکم‌تر را فراهم می‌کنند.
این منجر به سرعت نوشتن اطلاعات دو برابر شده و مصرف انرژی برای خواندن و نوشتن داده ها به ترتیب ۳۰ و ۵۰ درصد کاهش یافته است.
منبع:گسمارنا